您的位置: 首页 > 国内项目 > 详情页

新型二次电子发射薄膜及其在电子倍增器中的应用研究
基金项目类型:
国家自然科学基金
基金项目编号:
11675278
来源网站:
国家自然科学基金委员会
来源网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
负责人:
闫保军
完成单位:
中国科学院高能物理研究所
中文关键词:
通道式电子倍增器; 带电粒子探测; 微通道板; 原子层沉积; 二次电子测量;
项目类型:
面上项目
语种:
中文
开始日期:
2017-01-01
结束日期:
2020-12-31
中文摘要:
为改善核探测、航空航天、国防及精密科学仪器等领域中电子倍增器的性能,实现在低能入射电子和低工作电压下电子倍增器增益高、信噪比好、寿命长的目标,其核心问题是如何获得在低能入射电子下具有稳定的、高二次电子发射系数的材料。本课题利用原子层沉积(ALD)技术,开展新型二次电子发射薄膜的研究,通过对绝缘材料进行掺杂和表面修饰,阐明掺杂元素和表面修饰改善材料二次电子发射特性的微观作用机理,揭示在低能入射电子下获得高二次电子发射材料的规律,通过科研与应用相结合,开展材料元素掺杂和表面修饰技术、玻璃通道表面生长二次电子发射纳米薄膜技术和测试评价分析技术,争取四年内,全面达到项目预期目标,并物化到样品之中,改进传统电子倍增器的性能。本项目研究成果可广泛应用于光电倍增管、真空紫外谱仪、空间探测器、微光夜视以及其它在真空环境中实现含能光子和荷电粒子的探测等领域。
相关组织者
应用推荐

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充