一种二维层状碳化硅的制备方法
- 专利权人:
- 深圳市宝硼新材料科技有限公司
- 发明人:
- 田兆波,杜松墨,李昊楠,曾航
- 申请号：
- CN202310550253.5
- 公开号：
- CN116692866A
- 申请日:
- 20230516
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 陈冰
- 摘要：
- 本发明涉及一种二维层状碳化硅的制备方法,包括步骤:S1、将膨胀碳化硅分散在分散介质中,得到含有二维层状碳化硅的粗制品的混合物,将所得混合物进行超声处理;S2、将步骤S1所得混合物中的膨胀碳化硅去除,得到二维层状碳化硅的分散液;S3、将步骤S2所得分散液进行冷冻干燥处理,得到二维层状碳化硅。本发明所述二维层状碳化硅的制备方法,以膨胀碳化硅为原料在分散介质和干燥工艺的辅助下,采用类似剥离法制备石墨烯的液相剥离法制备得到二维层状碳化硅。本发明所述制备方法反应短、合成温度低、制备条件简单、适于大规模的工业生产,为碳化硅的制备提供了新思路。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
