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一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件
- 专利权人:
- 深圳光启创新技术有限公司
- 发明人:
- 刘若鹏,栾琳,郭洁,余铨强
- 申请号：
- CN201210110055.9
- 公开号：
- CN102683872A
- 申请日:
- 2012.04.16
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件，负磁导率超材料包括至少一层具有负磁导率的超材料层，超材料层包括基板以及周期性阵列排布在基板两侧的多个第一人造微结构和第二人造微结构，第一人造微结构由四个呈环形阵列的第一人造微结构单元组成，第二人造微结构由四个呈环形阵列的第二人造微结构单元组成，第一人造微结构单元和第二人造微结构单元是开口在一角的开口谐振环结构，第二人造微结构单元的位置与第一人造微结构单元一一对应，第二人造微结构单元的形状为第一人造微结构单元的形状绕环形阵列的几何中心旋转180度得到的形状。本发明能有效降低超材料的谐振频率。另外，本发明MRI磁信号增强器件中具有较大应用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
