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蓄積電荷シンクを用いてＭＯＳＦＥＴの線形性を改善することに使用される方法及び装置−高調波リンクルの抑制
- 专利权人:
- ペレグリン セミコンダクター コーポレイション
- 发明人:
- ブリンドル，クリストファー エヌ,デン，ジェ,ヤン，チア−カイ,ゲンク，アルペル
- 申请号：
- JP20160175339
- 公开号：
- JP2017011291(A)
- 申请日:
- 2016.09.08
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴ内の蓄積電荷を制御し、それによりＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴの動作における非線形応答、高調波歪み及び相互変調歪みの影響を改善する装置及び方法を提供する【解決手段】少なくとも１つのＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴ３００を有する回路は、蓄積電荷レジームで動作するように構成される。ＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴのボディ３１２に動作可能に結合された蓄積電荷シンク（ＡＣＳ）が、ボディ内で生成された蓄積電荷１２０を受け入れ、それによりＳＯＩ型ＭＯＳＦＥＴの正味のソース３０４−ドレイン３０６間キャパシタンスの非線形性を低減させる。【選択図】図３Ｃ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
