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过压和/或静电释放保护装置
- 专利权人:
- 美国亚德诺半导体公司
- 发明人:
- E·科尼
- 申请号：
- CN201280022685.9
- 公开号：
- CN103534806A
- 申请日:
- 2012.05.09
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 刘倜
- 摘要：
- 一种与滤波器结合的过压保护装置，过压保护装置具有用于连接至被保护节点(8)的第一节点、用于连接至释放节点的第二节点(9)、以及控制节点(79)；而且其中滤波器包括下述元件中的至少一个：(a)连接在第一节点和释放节点之间的电容器(620，630，640)；(b)连接在控制节点和释放节点的电容器(620a，630a)；或(c)与第一节点串行连接的电感器(650)。在一些实施例中，过压保护装置可包括NPN半导体结构，NPN半导体结构包括：第一(40)和第二(50)N型区域以及第一P型区域(60)；其中N型区域中一个被连接至将被保护以防止过压事件的终端、导体或节点(8)，N型区域中的另一个被连接至基准，而且其中与第一P型区域电接触的场板(70)与N型区域的一部分重叠但是隔离开。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
