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CONFIGURATION D'ÉLECTRODE À RADIOFRÉQUENCE CENTROSYMÉTRIQUE POUR LE TRAITEMENT DE LA PEAU
专利权人:
Koninklijke Philips N.V.
发明人:
申请号:
EP15725382.4
公开号:
EP3151910A1
申请日:
2015.06.03
申请国别(地区):
EP
年份:
2017
代理人:
摘要:
The invention relates to a device (100) for RF skin treatment comprising an outer electrode (2) arranged on an operational side (15) of the device. The outer electrode has an annular or equilateral polygonal shape. An inner electrode (1) is arranged at a center of the outer electrode and is surrounded by the outer electrode. An RF generator (21) is arranged to supply an RF treatment voltage between the inner electrode (1) and the outer electrode (2). A skin contact surface of the inner electrode has a largest cross-sectional dimension in a range of 200-500 μm, and the RF treatment voltage is less than 50 V. The invention provides a device with improved safety in that it enables the creation of non-ablative fractionated skin lesions, particularly using a relatively low RF treatment voltage for treating the skin as compared to known devices and without the necessity of a feedback or monitoring system.L'invention concerne un dispositif (100) pour le traitement RF de la peau comprenant une électrode externe (2) agencée sur un côté opérationnel (15) du dispositif. L'électrode externe possède une forme polygonale annulaire ou équilatérale. Une électrode interne (1) est agencée au centre de l'électrode externe et est entourée par l'électrode externe. Un générateur RF (21) est agencé pour fournir une tension de traitement RF entre l'électrode interne (1) et l'électrode externe (2). Une surface de contact avec la peau de l'électrode interne a une dimension de section transversale maximale dans une plage de 200 à 500 µm, et la tension de traitement RF est inférieure à 50 V. L'invention concerne un dispositif ayant une sécurité améliorée en ce qu'il permet la création de lésions cutanées fractionnées non ablatives, en particulier au moyen d'une tension de traitement RF relativement faible pour traiter la peau par rapport aux dispositifs connus et sans la nécessité d'un système de rétroaction ou de surveillance.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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