一种植入式μLED光电极
- 专利权人:
- 发明人:
- 陈皓,郑梦洁,潘美妍,傅翼斐
- 申请号：
- CN202211255043.5
- 公开号：
- CN115332420B
- 申请日:
- 2022.10.13
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 本申请属于生物医学工程技术领域，公开了一种植入式μLED光电极，包括μLED光源和设置在所述μLED光源下侧的导电增透结构，所述μLED光源用于发出照射光；所述导电增透结构包括四个结构层，从上到下，四个所述结构层分别为第一透明层、透光金属层、第二透明层和第三透明层；所述导电增透结构中，各所述结构层的界面的反射光干涉相消以提高所述导电增透结构的对所述照射光的透射率；可提高μLED光源发出的光的透射率，从而有利于降低植入式μLED光电极的发热量。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
