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一种深紫外波段发光单片集成器件及制备方法
专利权人:
复旦大学
发明人:
田朋飞,顾而丹,崔旭高,单心怡
申请号:
CN202110585698.8
公开号:
CN113314561A
申请日:
2021.05.27
申请国别(地区):
CN
年份:
2021
代理人:
摘要:
本发明提供一种深紫外波段发光单片集成器件,包括基于AlGaN材料的UVC LED单元组成的LED阵列,每个LED单元的n电极和p电极之间具有多量子阱层;在LED阵列中,第一类LED单元用于发光,第二类LED单元用于探测光;在第一类LED单元发光时,第二类LED单元产生的光电流与第一类LED单元的发光强度相对应,所述光电流用以反馈控制LED阵列的光输出强度和UVC辐射剂量。本发明还提供了上述深紫外波段发光单片集成器件的制备方法。本发明能够实时监测UVC LED光输出强度的变化,使UVC LED能够安全稳定地应用于日盲通信、医疗、航空航天等领域。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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