微电极膜片的制备方法
- 专利权人:
- 京东方科技集团股份有限公司
- 发明人:
- 李凡,陈江博
- 申请号：
- CN201910458492.1
- 公开号：
- CN110143569A
- 申请日:
- 2019.29.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种微电极膜片的制备方法,属于生物电极技术领域,其可解决采用现有的微电极膜片制备方法形成的微电极与生物体接触的紧密度低的不足。本发明微电极膜片的制备方法,包括:在临时基底上形成至少一个凹槽;在凹槽中形成微电极植晶;利用微电极植晶在凹槽中生长形成微电极;使第一基底与临时基底具有凹槽的一侧接触;使微电极和临时基底分离,以将微电极转移至第一基底上。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
