본 발명은 전해 커패시터의 생산 공정에 관한 것으로, 상기 공정은: i) - 전극 물질의 전극체 (2), - 이 전극 물질의 표면을 적어도 부분적으로 피복하는 유전체 (3), 및 - 상기 유전체 표면을 적어도 부분적으로 피복하는 전기 전도성 물질을 적어도 포함하는 고체 전해질 (4)을 포함하는, 커패시터체 (1)를 제공하는 단계, ii) 상기 커패시터체 (1)에 적어도 하나의 프라이머 화합물 e)을 적용시킨 다음, 공액 고분자 b) 및 용제 또는 분산제 d)를 포함하는 용액 또는 분산액 a)을 적용한 후에, 상기 커패시터체 (1) 상에 형성되는 고분자 외부층 (5)의 형성을 위해 상기 용제 또는 분산제 d)가 적어도 부분 제거되는, 프라이머 화합물의 적용 단계를 포함하며; 여기서, 상기 프라이머 화합물 e)은, 선택적으로 양성자화될 수 있는, 적어도 하나의 아민기 및 선택적으로 탈양성자화될 수 있는
