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氮在碳网格上的少量掺杂生长金属性单壁碳纳米管的方法
- 专利权人:
- 中国科学院金属研究所
- 发明人:
- 侯鹏翔,宋曼,刘畅,成会明,石超
- 申请号：
- CN201310393548.2
- 公开号：
- CN103466597B
- 申请日:
- 2013.09.02
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张志伟
- 摘要：
- 本发明涉及金属性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氮在碳网格上的少量掺杂生长高质量、金属性单壁碳纳米管的方法。以有机气态烃为碳源气体，以氢气为载气，以二茂铁为催化剂前驱体，以硫粉为生长促进剂，以三聚氰胺或者尿素等含氮有机物为氮源；在一定温度下同时进行单壁碳纳米管的生长和氮元素的掺杂，通过调控实验条件实现了氮元素在碳网格上的掺杂，最终获得高质量、金属性的单壁碳纳米管宏量样品。本发明实现了金属性单壁碳纳米管大量、直接控制生长，克服了现有化学和物理方法分离过程中对单壁碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂、而直接通过氮掺杂制备金属性单壁碳纳米管方法中引入结构缺陷等问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
