分子磁化产生器

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专利权人:

东方先进技术开发股份有限公司;高昌电子有限公司

发明人:

洪金辉

申请号：

CN201210141584.5

公开号：

CN103316429A

申请日:

2012.05.09

申请国别(地区):

CN

年份:

2013

代理人:

摘要：

本发明公开了一种分子磁化产生器，包含：一结构体、一磁性材质以及一磁场产生线圈，结构体具有一中空部分，该磁性材质配置于结构体的内层，磁场产生线圈配置于结构体的外部表面，以提升中空部分的磁场强度。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/