一种Si₂N₂O-Si₃N₄-TiN多孔陶瓷的制备方法

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专利权人:

广东工业大学

发明人:

郭伟明,吴利翔,陈珊璐,林华泰

申请号：

CN201610283697.7

公开号：

CN105948783A

申请日:

2016.05.03

申请国别(地区):

中国

年份:

2016

代理人:

胡辉

摘要：

本发明公开了一种Si₂N₂O‑Si₃N₄‑TiN多孔陶瓷的制备方法，包括下列步骤：按比例加入Si、TiO₂和Al₂O₃‑Re₂O₃，经混料、球磨、干燥后，得到Si‑TiO₂‑Al₂O₃‑Re₂O₃混合粉体；进一步在氮气氛下，通过气氛烧结制备得到Si₂N₂O‑Si₃N₄‑TiN多孔陶瓷。本发明的多孔陶瓷的气孔率高达60%，孔径在20～150μm，可作为良好的吸音材料；硬度为100～800HV，断裂韧性为1～4MPam^1/2，抗弯强度为50～400Mpa，具有良好的抗热震、抗氧化等性能；介电常数为3.5～7.0，可用于航空航天、机械工业等领域的热防护材料和透波材料，还可用于汽车尾气处理和化学工程的反应器以及过滤器等。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/