Peter, Dr. Hackenschmied,Christian, Dr. Schröter,Matthias, Dr. Strassburg
申请号：
DE102009018877
公开号：
DE102009018877B4
申请日:
2009.04.24
申请国别(地区):
DE
年份:
2016
代理人:
摘要：
Röntgenstrahlungsdetektor, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System, aufweisend:1.1. ein zur Detektion verwendetes Halbleitermaterial,1.2. mindestens zwei ohmsche Kontakte zwischen dem Halbleitermaterial und einem Kontaktmaterial, wobei1.3. das Halbleitermaterial und das Kontaktmaterial jeweils eine spezifische Anregungsenergie (ΦHL, ΦM) der Ladungsträger aufweisen,dadurch gekennzeichnet, dass1.4. die Anregungsenergie des Kontaktmaterials (ΦM) der Anregungsenergie des Halbleitermaterials (ΦHL) entspricht, wobei die Anregungsenergie des Kontaktmaterials (ΦM) nicht mehr als 100 meV von der Anregungsenergie des Halbleitermaterials (ΦHL) abweicht, und1.5. das Kontaktmaterial eine Legierung aus Iridium und mindestens einem Metall der nachfolgenden Liste ist: Platin, Gold und Palladium.X-ray detector is used, in particular for use in a ct - system, comprising:a semiconductor material used for the detection 1.1,1.2. at least two ohmic contacts between the semiconductor material and a contact material, wherein1.3. the semiconductor material, and the contact material in each case a specific excitation energy (φHl, ΦM) of the charge carriers have,characterized in that1.4. the excitation energy of the contact material (φM) the excitation energy of the semiconductor material (φHl) , wherein the excitation energy of the contact material (φM) not more than 100 mev of the excitation energy of the semiconductor material (φHl) , andthe contact material 1.5. an alloy of iridium and at least one metal of the following list is: platinum, gold and palladium.
