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中子产生装置用的靶及其制造方法
- 专利权人:
- 株式会社八神制作所
- 发明人:
- 土田一辉
- 申请号：
- CN201380037399.4
- 公开号：
- CN104429168A
- 申请日:
- 2013.07.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 提供长寿命的中子产生装置用的靶及其制造方法。在中子产生装置用的靶中，向作为靶材的锂照射被加速器加速后的质子束，利用7Li(p、n)7Be反应产生中子，该中子产生装置用的靶具有：金属基板(52A)，其保持靶材(54)；以及密封金属薄膜(53)，其位于保持靶材(54)的保持面侧X。在金属基板(52A)的保持面侧X具有边框部(52a)和凹凸结构，在该凹凸结构中，在被边框部(52a)围着的内侧保留有多个岛部(52b)，使得边框部(52a)和多个岛部(52b)以外的其它区域成为减薄了靶材(54)的厚度的量后的凹部。密封金属薄膜(53)、边框部(52a)以及多个岛部(52b)的表面进行了热等静压(HIP)接合，靶材(54)被密封金属薄膜(53)密封在凹部中。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
