钨掺杂PZN-PZT陶瓷的结构与压电性能的研究

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作   者：

高峰;  张昌松;  王卫民;  张慧君;  田长生; 

作者机构：

西北工业大学材料学院; 

关键词：

掺杂;  晶格常数;  电滞回线;  压电性能; 

期刊名称：

材料工程

基金项目：

i s s n：

1001-4381

年卷期：

2005 年 01 期

页   码：

5-9+13

摘   要：

用二次合成法制备了掺杂WO3的PZN-PZT压电陶瓷,研究了WO3对PZN-PZT陶瓷晶胞结构与压电性能的影响,结果表明钨掺杂促进PZN-PZT陶瓷的烧结致密化,于1100℃下形成晶界清晰,结构致密的陶瓷。钨掺杂引起晶格畸变,随着钨含量的增加,晶格常数a和c减小,四方度降低;对压电性能的研究表明随着钨含量的增加,PZN-PZT陶瓷的矫顽场Ec、自发极化强度Ps、机电耦合系数Kp和压电常数d33减小,介电常数ε和机械品质因数Qm增大,绝缘电阻率ρ先增加后减小;PZN-PZT陶瓷在WO3掺杂量为1.0％(质量分数)时具有最佳综合性能。