NH_3等离子体增强热处理形成硅化钛导电薄膜

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作   者：

李炳宗;  厉佳;  顾志光; 

作者机构：

复旦大学电子工程系; 

关键词：

固相反应;  TiSi_2;  薄膜;  NH;  等离子体;  氮化。; 

期刊名称：

复旦学报(自然科学版)

i s s n：

0427-7104

年卷期：

1988 年 01 期

页   码：

103-109

摘   要：

本文介绍制备均匀硅化钛导电薄膜的一种新方法,高频NH_3等离子体和感应加热的共同作用,使淀积在硅片表面的Ti膜产生氮化和硅化反应,实验表明,在低气压下NH_3等离子体增强的Ti膜表面氮化,可以有效地克服通常很难避免的氧沾污的有害影响,有利于通过固相反应形成自对准TiSi_2导电薄膜。