IGBT多级场板终端结构的仿真和验证

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作   者：

高明超;  刘钺杨;  刘江;  赵哿;  金锐;  于坤山; 

作者机构：

国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所; 

关键词：

多级场板;  终端;  绝缘栅双极晶体管;  击穿场强; 

期刊名称：

固体电子学研究与进展

基金项目：

i s s n：

1000-3819

年卷期：

2013 年 01 期

页   码：

80-83+105

摘   要：

基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性;多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1 200V NPT Planer IGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1 300V以上。