等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究

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作   者：

成卫海;  何龙;  范晓轩;  区琼荣;  梁荣庆; 

作者机构：

复旦大学光源与照明工程系; 

关键词：

等离子体浸没离子注入;  氧化铟锡;  表面改性;  表面功函数; 

期刊名称：

中国科学:技术科学

基金项目：

有机电致发光器件有机界面的等离子体修饰技术和机理研究
等离子体引发高分子电致发光材料表面功能化研究

i s s n：

1674-7259

年卷期：

2013 年 04 期

页   码：

427-431

摘   要：

有机电致发光器件(OLED)具有自发光、低功耗、响应快、亮度高、可视角度大等特点,是下一代理想的显示技术及面光源.当前OLED广泛采用氧化铟锡(ITO)透明阳极兼出光窗口,然而,ITO表面功函数与器件内层有机材料最高电子占有轨道(HOMO)之间的势垒较高,器件工作电压高,导致能效偏低以及稳定性差等问题.射频等离子体处理ITO可获得一定幅度功函数提高(约0.4eV),但仍未达到与有机材料最高电子占有轨道匹配程度,而且,处理效果时效性很短,只有数小时.而采用等离子体浸没式氧离子注入(PIII)技术修饰ITO表面,可精确控制氧离子注入剂量及深度,改变ITO表层氧、铟、锡3种元素原子比例.在不改变ITO薄膜主体透明性及导电性的基础上,表面功函数提高幅度达0.8eV,与主要的OLED空穴输运有机材料的HOMO能级匹配,并且,处理效果经过50h后未见明显衰退迹象.