新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究

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作   者：

何波;  马忠权;  赵磊;  张楠生;  李凤;  沈玲;  沈成;  周呈悦;  于征汕;  吕鹏;  殷宴庭; 

作者机构：

上海索朗太阳能科技有限公司;  上海大学理学院物理系; 

关键词：

SINP硅光电池;  光谱响应;  氧化铟锡;  响应率;  C-V/I-V特性; 

期刊名称：

光电子技术

基金项目：

SIS结构紫光太阳电池的研究

i s s n：

1005-488X

年卷期：

2009 年 04 期

页   码：

217-225

摘   要：

在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。