InP/GaAs低温键合的新方法

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作   者：

谢生;  陈松岩;  何国荣;  周海文;  吴孙桃; 

作者机构：

厦门大学物理系; 

关键词：

磷化铟;  键合强度;  低温键合;  砷化镓;  IV特性; 

期刊名称：

功能材料

基金项目：

GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究

i s s n：

1001-9731

年卷期：

2005 年 03 期

页   码：

416-418

摘   要：

通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流 电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联。同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明 450℃样品的键合强度优于350℃样品。最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨。