B、N掺杂对单层SnO磁性影响的第一性原理研究

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作   者：

安婷;  张敏;  贺勇;  史俊杰; 

作者机构：

内蒙古师范大学物理与电子信息学院;  北京大学物理学院; 

关键词：

掺杂;  第一性原理;  磁性;  单层SnO; 

期刊名称：

内蒙古大学学报(自然科学版)

基金项目：

AlGaN基光偏振调制和深紫外发光机理研究

i s s n：

1000-1638

年卷期：

2019 年 02 期

页   码：

147-153

摘   要：

采用自旋极化密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了非金属元素B或N替位掺杂对单层SnO电子结构和磁学性质的影响.计算结果表明,B或N原子掺杂单层SnO可以诱导出磁性,磁矩分别为0.84μB,0.44μB.在B-SnO掺杂体系中,磁矩主要来源于B-2p轨道和与之近邻的Sn-5p轨道.在N-SnO掺杂体系中,磁性主要来源于Sn-5p、O-2p和N-2p轨道.进一步研究两个B或两个N原子掺杂单层SnO的磁耦合发现,双B原子掺杂SnO超原胞的C1构型最为稳定,双N原子掺杂SnO超原胞的C4构型最为稳定,且都呈现出顺磁性.形成能计算表明,富Sn条件下更易于实现双原子掺杂.