SiC MESFET反向截止漏电流的研究

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作   者：

崔现锋;  潘宏菽; 

作者机构：

河北半导体研究所; 

关键词：

氧化;  反向截止漏电流;  低压化学气相淀积;  碳化硅金属外延半导体场效应晶体管; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2010 年 08 期

页   码：

41-43

摘   要：

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB。该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容。