简并HG_(1-X)CD_XTE半导体的费密能级和BURSTEIN-MOSS效应(详细摘要)

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作   者：

褚君浩; 

作者机构：

中国科学院上海技术物理研究所; 

关键词：

导带;  费密能量;  电子浓度;  修正因子;  光学禁带宽度;  吸收光谱;  温度范围;  不同温度;  窄禁带半导体;  简并; 

期刊名称：

红外研究(A辑)

i s s n：

1001-9014

年卷期：

1985 年 001 期

页   码：

39-45

摘   要：

该文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级.该文还在77~300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动.实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致.