InSb光学带隙的掺杂调控研究

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作   者：

张兴旺;  吴金良;  尹志岗; 

作者机构：

中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 

关键词：

掺杂;  微重力;  红外探测;  带隙;  布里奇曼法; 

期刊名称：

空间科学学报

基金项目：

i s s n：

0254-6124

年卷期：

2016 年 04 期

页   码：

420-423

摘   要：

利用布里奇曼法进行了InAsSb半导体合金的生长,并对其结构、光学及电学特性进行了表征.研究发现,As替位掺杂造成X射线(111)衍射峰略微右移,同时其半高宽明显展宽.基于X射线衍射数据,利用Vegard定律计算出的As组分与能谱测量得到的结果基本吻合.此外,As的掺入使得材料背景载流子浓度略有上升.傅里叶变换红外光谱结果显示,As的替入使得材料带隙明显变小,拟合得到的光学带隙与通过Woolley-Warner经验公式得到的值定性一致.研究结果表明,As掺杂是减小InSb带隙,开拓其面向第二个大气窗口红外探测应用的有效途径.