碳纳米管阵列栅极冷阴极场发射增强因子的计算

• 全文链接
• 请求原文

作   者：

戴剑锋;  乔宪武;  张嵩波;  王青;  李维学; 

作者机构：

兰州理工大学理学院;  兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室; 

关键词：

场发射;  栅极冷阴极;  碳纳米管阵列;  六角排列; 

期刊名称：

功能材料

i s s n：

1001-9731

年卷期：

2008 年 11 期

页   码：

141-143

摘   要：

垂直于栅极冷阴极六角排列的碳纳米管(CNTs)阵列是最具有应用前景的CNTs场发射平面显示器结构。计算了该结构尖端及侧壁的电势和电场分布以及场增强因子。计算结果表明:CNTs尖端处电场强度很大,随着半径r的增加,电场强度急剧减小;CNTs长径比L/r越大,尖端电场越强;栅孔半径R越大,CNTs顶端电场强度越小。