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离子注入过程中的颗粒污染来源及管控措施

作   者:
申强刘鼎铭赵伟涵
作者机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
关键词:
颗粒污染离子注入控制措施
期刊名称:
电子工业专用设备
i s s n:
1004-4507
年卷期:
2024 年 53 卷 005 期
页   码:
32-36,68
摘   要:
离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素.通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注入过程中扫描次数、定向台定向、机械手传片、片库抽泄真空和靶台压盖升降对圆片表面颗粒的影响程度,为离子注入过程中的颗粒污染控制提供依据和建议.
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