MEMS结构在BOE中释放时气泡的产生与预防

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作   者：

桑新文;  张宝顺; 

作者机构：

中国科学院研究生院;  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工公共平台; 

关键词：

气泡;  表面活性剂;  微电子机械系统;  接触角;  缓冲氢氟酸; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2010 年 07 期

页   码：

103-106

摘   要：

微电子机械系统(MEMS)器件加工中,采用表面Si工艺和体Si工艺的混合工艺或MEMS SOI工艺,用SiO2的湿法腐蚀液缓冲氢氟酸(BOE)释放MEMS Si结构时将会出现一个新问题,阐述了该新问题的工作机理并给出可行的解决方法。以100 mm(4英寸)p型双面抛光Si片(100)替代MEMS器件Si结构,详细阐述了经过不同方法处理的Si片表面在不同温度下的BOE溶液以及加有表面活性剂的BOE溶液中是否产生气泡,并通过测量BOE溶液与Si片表面的接触角大小来衡量表面活性剂的效果。文章指出BOE溶液的温度、Si片表面的粗糙度以及表面活性剂的类型对气泡的产生具有很大的影响,同时指出阴性表面活性剂为抑制气泡产生的最佳表面活性剂。