N型硅单晶霍尔系数与应力关系的研究

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作   者：

冯文修;  赵寿南; 

作者机构：

华南理工大学物理系; 

关键词：

霍尔效应;  硅单晶;  应力; 

期刊名称：

华南理工大学学报(自然科学版)

i s s n：

1000-565X

年卷期：

1990 年 04 期

页   码：

86-92

摘   要：

本文针对n型硅单晶,在常温下进行霍尔效应实验,研究了霍尔系数与压缩应力的关系。研究结果表明,样品的霍尔系数绝对值随着作用于样品压缩应力的增加而减少。应力增加一个数量级,霍尔系数绝对值的相对变化小于10%。其与应力的变化关系似乎不是完整的线性关系。在应力方向和电流方向沿〈111〉晶向时,沿不同晶向加磁场,霍尔系数的变化情形几乎没有多大改变。本文还对实验结果作了理论上的定性解释。