基于ALD技术的高性能光电探测器研究进展

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作   者：

胡鲲;  翟爱平;  冯琳;  石林林;  冀婷;  李国辉;  崔艳霞; 

作者机构：

太原理工大学物理与光电工程学院; 

关键词：

活性层;  钝化层;  界面层;  原子层沉积（ALD）技术;  光电探测器; 

期刊名称：

半导体技术

基金项目：

背电极金属光栅调控有机聚合物光电倍增探测器载流子俘获及光电响应特性

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2021 年 012 期

页   码：

909-920

摘   要：

采用原子层沉积（ALD）技术制备的薄膜具有致密性高、保形性高、平滑性好、缺陷密度低、厚度可精准调控等优势,被广泛应用于各类光电器件中。利用ALD技术制备的功能薄膜可以明显改善光电探测器的暗电流、探测率和线性动态范围等性能。以基于ALD技术的高性能光电探测器为主题,首先详细介绍了热ALD生长薄膜的基本原理,同时简要介绍了等离子体增强ALD技术生长薄膜的基本原理。然后依据光电探测器中薄膜的功能不同,依次总结了基于ALD技术制作的活性层、钝化层、界面层、电荷传输层等实现高性能光电探测器的研究进展。最后对ALD技术在光电探测器领域的发展趋势和挑战进行了展望。