GaInP/GaAs/Ge太阳电池边缘Si₃N₄钝化研究

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作   者：

许军;  孙希鹏;  韩宇;  赵拓;  铁剑锐;  肖志斌; 

作者机构：

天津恒电空间电源有限公司; 

关键词：

湿法刻蚀;  光刻;  侧截面;  光电转换效率;  PECVD; 

期刊名称：

电源技术

i s s n：

1002-087X

年卷期：

2024 年 48 卷 012 期

页   码：

2528-2531

摘   要：

GaInP/GaAs/Ge太阳电池相比于Si基、CIGS、CdTe等材料具有更高的光电转换效率，结构材料具有少子寿命短、复合速率快的特点。电池在加工过程中边缘侧截面会产生大量缺陷，同时表面悬挂键造成态密度增加，表面光生少数载流子复合对光电转换性能负面影响严重。为提升电池光电转换性能，通过光刻、湿法刻蚀在电池边缘制作台阶来降低缺陷密度，通过PECVD工艺在侧截面上沉积Si3N4膜来中和侧截面中的悬挂键，达到钝化的目的。实验结果表明光电转换性能与砂轮切割相比提升了2.73%，与仅湿法刻蚀台阶相比，提升了1.25%。着重介绍了Si3N4钝化GaInP/GaAs/Ge太阳电池边缘的工艺方法、结果和讨论。