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短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展

作   者:
李雪邵秀梅李淘程吉凤黄张成黄松垒杨波顾溢马英杰龚海梅方家熊
作者机构:
中国科学院红外成像材料与器件重点实验室中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
关键词:
InGaAs焦平面短波红外暗电流探测率
期刊名称:
红外与激光工程
i s s n:
1007-2276
年卷期:
2020 年 01 期
页   码:
64-71
摘   要:
短波红外InGaAs焦平面探测器具有探测率高、均匀性好等优点,在航天遥感、微光夜视、医疗诊断等领域具有广泛应用。近十年来,中国科学院上海技术物理研究所围绕高灵敏度常规波长(0.9~1.7μm)InGaAs焦平面、延伸波长(1.0~2.5μm)InGaAs焦平面以及新型多功能InGaAs探测器取得了良好进展。在常规波长InGaAs焦平面方面,从256×1、512×1元等线列向320×256、640×512、4 000×128、1 280×1 024元等多种规格面阵方面发展,室温暗电流密度优于5 n A/cm~2,室温峰值探测率优于5×1012cm·Hz1/2/W。在延伸波长InGaAs探测器方面,发展了高光谱高帧频1 024×256、1 024×512元焦平面,暗电流密度优于10 n A/cm2和峰值探测率优于5×10~(11)cm·Hz1/2/W@200 K。在新型多功能InGaAs探测器方面,发展了一种可见近红外响应的InGaAs探测器,通过具有阻挡层结构的新型外延材料和片上集成微纳陷光结构,实现0.4~1.7μm宽谱段响应,研制的320×256、640×512焦平面组件的量子效率达到40%@0.5 m、80%@0.8 m、90%@1.55 m;发展了片上集成亚波长金属光栅的InGaAs偏振探测器,其在0°、45°、90°、135°的消光比优于20:1。
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