基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

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作   者：

黄梦茹;  卢林红;  郭丰杰;  马奎;  杨发顺; 

作者机构：

贵州大学大数据与信息工程学院; 

关键词：

Ar;  Ti/Ni/Ag薄膜;  射频偏压功率;  电感耦合等离子体(ICP);  刻蚀深度; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2024 年 49 卷 010 期

页   码：

893-898

摘   要：

在电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺中，选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气（Ar）作为刻蚀气体，研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响，并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明，调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率，进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数，在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm3/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下，芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。