短波红外InGaAs焦平面噪声特性

• 全文链接
• 请求原文

作   者：

于春蕾;  李雪;  邵秀梅;  黄松垒;  龚海梅; 

作者机构：

中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室; 

关键词：

噪声特性;  焦平面;  铟镓砷; 

期刊名称：

红外与毫米波学报

基金项目：

短波红外InGaAs焦平面探测器噪声机理研究

i s s n：

1001-9014

年卷期：

2019 年 04 期

页   码：

528-534

摘   要：

为研究铟镓砷焦平面的噪声特性,设计了两种不同吸收层掺杂浓度的InGaAs外延材料,采用标准工艺制备了平面型160×128元光敏芯片,并与相同结构的读出电路倒焊耦合形成160×128元焦平面,采用改变积分时间和改变器件温度的方法,测试焦平面的信号与噪声.通过研究不同材料参数、器件性能与焦平面噪声的关系,定量分析了短波红外InGaAs焦平面的噪声特性.结果表明,焦平面噪声主要来源于焦平面耦合噪声和探测器噪声,降低InGaAs外延材料吸收层的掺杂浓度,可以有效降低探测器电容,从而降低焦平面的耦合噪声;而探测器噪声由探测器暗电流和工作温度影响,该噪声在长积分时间下决定了焦平面的总噪声水平.实现低暗电流、低电容特性的光敏芯片是降低焦平面噪声的有效途径.