P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展

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作   者：

朱彦旭;  宋潇萌;  李建伟;  谭张杨;  李锜轩;  李晋恒; 

作者机构：

北京工业大学光电子技术教育部重点实验室;  中国科学院软件研究所; 

关键词：

高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT);  P-GaN栅技术;  结构优化;  氮化镓(GaN);  制备工艺优化;  增强型器件; 

期刊名称：

北京工业大学学报

i s s n：

0254-0037

年卷期：

2023 年 49 卷 008 期

页   码：

926-936

摘   要：

增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型器件制备方法.首先,概述了当前制约P-GaN栅结构GaN基HEMT器件发展的首要问题,从器件结构与器件制备工艺这2 个角度,综述了其性能优化举措方面的最新研究进展.然后,通过对研究进展的分析,总结了当前研究工作面临的挑战以及解决方法.最后,对未来的发展前景、发展方向进行了展望.