氧化铝增强的PdSe2/Si异质结光电探测器

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作   者：

贺亦菲;  杨德仁;  皮孝东; 

作者机构：

浙江大学材料科学与工程学系;  浙江大学材料科学与工程学院; 

关键词：

隧穿光电探测器;  原子层沉积(ALD);  硅;  异质结;  快速光响应;  二硒化钯; 

期刊名称：

浙江大学学报(工学版)

i s s n：

1008-973X

年卷期：

2023 年 57 卷 001 期

页   码：

190-199

摘   要：

为了降低暗电流,通过原子层沉积(ALD)生长了一层氧化铝(Al2O3)隧穿层,制备了PdSe2/Al2O3/Si异质结光电探测器.通过优化Al2O3层的厚度,使得该探测器实现了高速和宽光谱响应.研究结果表明,在波长为808 nm的光照射和?2 V偏压下,所制备的光电探测器与未生长Al2O3的器件相比,暗电流降低了约3个数量级,器件的光响应度达到了约为0.31 A/W,对应的比探测率约为2.5×1012 Jones,器件在零偏压下表现出明显的自驱动效应.经过循环测试1200次后,器件保持良好的光响应.器件响应的上升时间和下降时间分别为7.1和15.6μs.结果表明,在二维层状半导体材料与Si之间引入Al2O3隧穿层,可以有效地降低器件的暗电流,有利于高性能的Si基光电探测器的制备.