半导体纳米晶体在薄膜晶体管中的应用

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作   者：

栾庆彬;  皮孝东; 

作者机构：

浙江大学材料科学与工程系;  浙江大学硅材料国家重点实验室; 

关键词：

薄膜晶体管;  半导体;  纳米晶体;  碲化汞;  硅;  锗;  有源层;  硒化镉;  硒化铅; 

期刊名称：

材料导报

基金项目：

印刷硅电子学

i s s n：

1005-023X

年卷期：

2014 年 21 期

页   码：

1-7

摘   要：

以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料。近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注。利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔。着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用。