应变SiGe层中本征载流子浓度的计算

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作   者：

赵传阵;  唐吉玉;  文于华;  吴靓臻;  孔蕴婷; 

作者机构：

华南师范大学物理与电信工程学院; 

关键词：

有效态密度;  锗硅合金;  本征载流子浓度;  掺杂浓度;  应变; 

期刊名称：

固体电子学研究与进展

i s s n：

1000-3819

年卷期：

2007 年 04 期

页   码：

449-451+467

摘   要：

采用解析的方法研究了应变Si_(1-x)Ge_x层中本征载流子浓度n_i与Ge组分x、温度T、掺杂浓度N的定量依赖关系;拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下,本征载流子浓度随Ge组分的增加而变大,并且本征载流子浓度增加的速度越来越快。在一定Ge组分下,本征载流子浓度随掺杂浓度的增加而变大。随着掺杂浓度的增加,本征载流子浓度的增长速度变得越来越缓慢。