氢气退火对ITO纳米颗粒能带结构的影响

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作   者：

郭德双;  王登魁;  王新伟;  孟兵恒;  方铉;  房丹;  魏志鹏; 

作者机构：

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 

关键词：

纳米材料;  热退火;  光学带隙;  共沉淀法;  氧化铟锡(ITO); 

期刊名称：

材料导报

基金项目：

3-5μm波段W型InAs/GaInSb量子阱材料及器件研究
宽禁带半导体纳米材料中束缚态激子的有效调控及其光电特性研究

i s s n：

1005-023X

年卷期：

2020 年 S1 期

页   码：

26-28+42

摘   要：

采用共沉淀法合成了高质量的ITO纳米颗粒,研究了H_2退火对ITO结构及能带的影响。通过扫描电子显微镜对ITO颗粒的形貌进行分析,发现其颗粒尺寸均匀;采用傅里叶变换红外光谱分析退火前后ITO中化学键的类型,发现退火之后In-O键的振动峰减弱,这是ITO颗粒表面氧溢出并形成In-Sn合金所致;同时X射线衍射曲线在退火前后并未发生变化,表明ITO纳米颗粒主体的晶体结构并没有发生改变;通过H_2气氛下退火后样品的吸收光谱可以看出,随着退火温度的升高,ITO的带隙逐渐增大,这是由表面的In-Sn合金所引起的。