n型硒化锡晶体热电材料研究进展

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作   者：

宿力中;  冯孝坤; 

作者机构：

太原科技大学材料科学与工程学院; 

关键词：

晶体;  相变材料;  n型硒化锡;  热电材料;  层状结构; 

期刊名称：

科学通报

i s s n：

0023-074X

年卷期：

2025 年 70 卷 006 期

页   码：

655-664

摘   要：

构建高性能热电器件需要拥有性能相匹配的高性能p型与n型热电材料.硒化锡（SnSe）晶体因其优异的热电性能引起了热电领域的广泛关注.当前,p型SnSe晶体在300～773 K可取得～2.2的平均无量纲热电优值(ZTave),300 K时ZT可达～1.5;n型SnSe晶体在300～773 K也可获得1.7的ZTave,但300 K时ZT仅为～0.5,与p型SnSe晶体仍有不小差距.优化n型SnSe晶体的热电性能成为了实现全SnSe基热电器件的研究重点.本文总结了n型SnSe晶体的研究进展,分析了不同施主杂质掺杂的n型SnSe晶体热电输运特性的异同,围绕载流子散射因子对比了固溶硒化铅对n型SnSe晶体面内与面外电输运性能造成的不同影响,介绍了SnSe相变对其热导率的影响,对n型SnSe晶体热电材料后续研究的重点与难点进行了展望.