S波段GaN功率放大器MMIC

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作   者：

王会智;  吴洪江;  张力江;  冯志红;  崔玉兴; 

作者机构：

中国电子科技集团公司第十三研究所;  中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室; 

关键词：

功率放大器;  脉冲;  S波段;  连续波(CW);  氮化镓;  单片微波集成电路(MMIC); 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2016 年 04 期

页   码：

271-275

摘   要：

基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款S波段Ga N功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该电路采用三级拓扑放大结构,提高了放大器的增益;采用电抗匹配方式,减小了电路输出级的损耗,提高了MMIC的功率和效率。输出级有源器件的布局优化,改善了放大器芯片的温度分布特性。测试结果表明,在2.8~3.6 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V(脉宽100μs,占空比10%)时,峰值输出功率大于60W,功率附加效率大于45%,小信号增益大于34 d B,增益平坦度在±0.3 d B以内,输入电压驻波比在1.7以下;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于40 W,功率附加效率38%以上。该MMIC尺寸为4.2 mm×4.0 mm。