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2.5GS/s高速DAC陶瓷封装协同设计

作   者:
王德敬赵元富姚全斌曹玉生练滨浩胡培峰
作者机构:
北京时代民芯科技有限公司
关键词:
高速DAC插入损耗电源地阻抗陶瓷封装协同设计与仿真
期刊名称:
电子技术应用
i s s n:
0258-7998
年卷期:
2017 年 01 期
页   码:
16-19
摘   要:
随着超大规模集成电路向着高密度、高频方向发展,保证高速信号的可靠传输成为封装电学设计中的关键。完成了一款转换速率为2.5 GS/s的14 bit DAC陶瓷外壳封装设计,利用芯片、封装和PCB的协同设计,保证了关键差分信号路径在2.5 GHz以内插入损耗始终大于-0.8 d B,满足了高速信号的传输要求;并结合系统为中心的协同设计和仿真,对从芯片bump到PCB的整个传输路径进行了仿真和优化,有效降低了信号的传输损耗和供电系统的电源地阻抗。
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