Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计

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作   者：

李富强;  赵子润;  魏洪涛; 

作者机构：

中国电子科技集团公司第十三研究所;  专用集成电路重点实验室; 

关键词：

增强/耗尽(E/D)型;  数字驱动器;  赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT);  单片微波集成电路(MMIC);  GaAs;  数字衰减器; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2019 年 08 期

页   码：

612-616

摘   要：

基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9～18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°～4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。