组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性

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作   者：

李双美;  尹常永; 

作者机构：

沈阳工程学院; 

关键词：

晶闸管/绝缘栅双极晶体管;  晶体管; 

期刊名称：

电力电子技术

i s s n：

1000-100X

年卷期：

2008 年 42 卷 12 期

页   码：

10-11+28

摘   要：

提出了一种新型MOS控制晶闸管,即组合式绝缘栅双极晶体管(CIGBT),它通过在公共的n阱和p阱内部串联MOSFET的阴极单元而形成。而n阱和p阱可产生一个特有的自箝位特征,可保证阴极免受任何过电压的冲击,进一步改善了其安全工作范围。仿真实验结果证明,CIGBT可大大改善IGBT的通态特性和开关性能。