GaAs HEMT开关器件的大信号模型

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作   者：

刘亚男;  杜光伟;  胡志富;  孙希国;  崔玉兴; 

作者机构：

中国电子科技集团公司第十三研究所; 

关键词：

HEMT;  大信号;  模型;  开关;  GaAs; 

期刊名称：

半导体技术

i s s n：

1003-353X

年卷期：

2016 年 06 期

页   码：

446-450+480

摘   要：

为了更好地表征GaAs HEMT开关器件的特性,提出了一种基于经验公式的改进型大信号模型。基于0.25μm HEMT工艺制备不同栅指数和单指栅宽的GaAs HEMT开关器件,然后对这些器件进行直流I-V特性和多偏置S参数的测试。采用栅源电流模型、漏源电流模型和电容模型对测试曲线进行拟合,从而得到可定标的GaAs开关大信号模型。对模型的开态插损和关态隔离度进行小信号仿真,模型的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了此模型有较高的精准度。通过大信号负载牵引测试验证了模型的有效性,此模型可用于GaAs HEMT开关器件的设计、开发及应用。