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Micro LED当前面临的瓶颈及技术进展

作   者:
周佳闫金健刘志强江莹包洋黄凯李金钗周德云
作者机构:
西北工业大学微电子学院西北工业大学电子信息学院空天电子信息感知与光电控制教育部重点实验室智能空天电子系统技术工业和信息化部重点实验室厦门大学物理科学与技术学院
关键词:
系统集成尺寸效应全彩化微缩矩阵化发光二极管
期刊名称:
光电子技术
i s s n:
1005-488X
年卷期:
2023 年 02 期
页   码:
91-113
摘   要:
Micro LED技术作为下一代显示技术的前沿研究领域,具备高亮度、高对比度和高能效等优势。回顾了Micro LED技术的发展历程,重点介绍了其技术难点以及当前的进展情况。技术难点包括外延结构设计、芯片制备中的尺寸效应、全彩化问题、Micro LED系统集成和可靠性研究。当前的进展涵盖了侧壁效应抑制、全彩化方案、巨量转移技术、氮化物红光技术、色转换技术、垂直堆叠技术、CMOS和TFT驱动、三维集成技术、透明显示以及纳米LED。最后展望了Micro LED技术的未来发展方向,包括解决技术难题、推动产业化进程和实现更广泛的应用。
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