具有选择性掩蔽热氧化(STO)结构的条形GAAS-GAALAS双异质结激光器

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作   者：

章蓓;  刘弘度;  王德煌;  陈娓兮; 

作者机构：

北京大学物理学院; 

关键词：

复合金属;  多层结构;  欧姆接触电极;  半导体激光器;  热氧化;  双异质结激光器;  条形激光器;  外延片;  液相外延生长;  掩膜; 

期刊名称：

半导体光电

i s s n：

1001-5868

年卷期：

1981 年 002 期

页   码：

14-17

摘   要：

我们在液相外延生长的四层结构GaAs-GaAlAs外延片上,用选择性掩蔽热氧化技术(简称STO技术),制备了条形GaAs-GaAlAs双异质结(DH)激光器,这种技术采用条形Au-Cr复合金属膜作为掩膜,令外延片在空气中约500℃下进行热氧化,利用热氧化对GaAs-GaAlAs多层结构的选择性,可以用同样条宽的金属掩膜得到不同宽度的条形区.这种选择性热氧化技术的优点是:第一,工艺简单,除液相外延外,不需要复杂的工艺设备与工序.