低温预氧化对PIP-SiC_f/SiC复合材料介电性能的影响

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作   者：

穆阳;  李皓;  刘宇清;  林刚;  周万城; 

作者机构：

凝固技术国家重点实验室;  中国飞行试验研究院;  机械结构力学及控制国家重点实验室; 

关键词：

低温预氧化;  SiCf/SiC复合材料;  高温介电性能;  PIP法;  高温吸波性能; 

期刊名称：

材料导报

i s s n：

1005-023X

年卷期：

2017 年 31 卷 S2 期

页   码：

129-133

摘   要：

分析了低温预氧化过程对聚碳硅烷(PCS)先驱体结构的影响,研究了不同预氧化温度和时间下SiCf/SiC复合材料室温和高温介电性能的演变规律。结果表明:经预氧化处理后基体中的氧含量增加,生成具有低介电常数的Si CxOy相,且其含量随着预氧化温度的升高或时间的延长逐渐增加,SiC微晶和自由碳的含量均减少,因此SiCf/SiC复合材料的复介电常数明显降低,同时高温复介电常数的升高幅度显著减小。经260℃-6 h预氧化处理后,700℃时复合材料在整个X波段的反射率均达到-8 d B以下,高温吸波性能得到有效改善。