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PMMA固体电解质的导电桥纳米开关的制备和性能研究
- 作 者:
-
坚佳莹;
常洪龙;
孙娴;
岳皎洁;
董芃凡;
- 作者机构:
-
西北工业大学机电学院;
西安工业大学电子信息工程学院;
- 关键词:
-
固体电解质;
聚甲基丙烯酸甲酯;
纳米开关;
导电桥随机存取存储器;
- 期刊名称:
- 西安工业大学学报
- 基金项目:
-
液-固和固-固相变时合金中高熔化熵相生长方式和形态随相变条件变化的机制和判据
- i s s n:
- 1673-9965
- 年卷期:
-
2018 年
05 期
- 页 码:
- 493-499
- 摘 要:
-
为了研究以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为固态电解质导电桥纳米开关的特性,文中采用FR-4覆铜板(Cu)作为活泼电极,Al作为惰性电极,PMMA作为固态电解质,研究了Cu/PMMA/Al导电桥纳米开关的制备工艺和性能.研究结果表明:旋转涂胶形成PMMA薄膜的厚度对Cu/PMMA/Al开关的性能起决定性因素,最大开关转换次数随旋转转速的增大而增大.电化学抛光时间和氧化时间对Cu/PMMA/Al纳米开关性能的影响相对较弱.电化学抛光时间为30s和60s时,纳米开关的开关循环次数总体上比电化学抛光时间为90s时的多.氧化时间对Cu/PMMA/Al纳米开关性能的影响没有明显的规律性.FR-4覆铜板用磷酸电化学抛光30s,在180℃的条件下氧化7min,以4 000r·min~(-1)旋转速率涂胶后,Cu/PMMA/Al导电桥纳米开关可实现开关305次;铜表面电化学抛光处理Cu/PMMA/Al纳米开关的开关比(高阻态/低阻态)为105,高阻态与低阻态时的电阻基本上不随时间变化.
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