忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势

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作   者：

王宇翔;  汤戈;  肖尧;  赵欣雨;  冯鹏;  胡伟; 

作者机构：

重庆大学光电工程学院;  成都理工大学核技术与自动化工程学院; 

关键词：

位移损伤;  电离损伤;  忆阻器;  辐照效应;  抗辐照加固; 

期刊名称：

核技术

i s s n：

0253-3219

年卷期：

2022 年 45 卷 011 期

页   码：

1-12

摘   要：

记忆电阻器(简称忆阻器)作为新型非易失性存储器和人工神经突触器件的有力候选者,在航空航天、火星探测等空间科学与应用领域有着巨大的发展前景.忆阻器的大规模应用,对于其抗辐照性能有异常严苛的要求.为了提高忆阻器的抗辐照能力,需要探究其辐照效应机理,发展一套有效的抗辐照工艺技术.本文在深入调研国内外研究现状的基础上,综述了忆阻器辐照效应的研究现状和趋势,重点针对过渡金属氧化物材料体系的忆阻器辐照效应,提出了现在亟须研究的科学问题和关键技术,从而为忆阻器抗辐照加固与空间应用提供一定的思路.